qui allegato trovi il progetto che avevo fatto per la seconda versione, nella quale prevedevo l'utilizzo di 3 IGBT in parallelo per sezione, sempre con solo un ramo (Half Bridge) visto che si era già deciso di prevedere la presa centrale sul secondario del trasformatore.
Qui utilizzo un driver isolato (
SI8234) della silicon labs, che gestisce l'intero half bridge. Il driver si alimenta dal lato ingresso con la stessa tensione del micro (3.3 o 5V) e in uscita con le tensioni di alimentazione dei gate. Essendo che i 2 driver in uscita sono anche isolati tra loro puoi alimentarli separatamente e così in effetti ho fatto. Per ogni gate ho poi previsto un ulteriore driver della MAXIM (
MAX15019) in modo da poter pilotare il gate con tensione duale: cioè in pratica per tenerlo spento inverto la polarità. Questo dirver è limitato come tensione di alimentazione (12.6V) e non escludo che nella prossima versione lo cambierò con un driver che mi permetta di arrivare almeno a 15V visto che la Vce dei moduli diminuisce all'aumentare della Vge.
Per il tuo progetto potresti ridurre il numero di MAX15019 a 2: uno per gate e utilizzare 2 di questi driver completi per ramo, avendo l'accortezza di invertire high-side con low-side nei due rami.
Il dead-time è gestito dal driver silicon labs.
Per alimentarlo, oltre alla stessa 5V del micro dovrai fornire altre 4 alimentazioni separate a 12V, e le puoi ricavare da un trasformatore 50Hz direttamente dalla 230V.... credo esistano anche con 4 secondari ma alla mal parata ne monti 2 da 2 secondari. Non ti serve tanta corrente sull'ingresso visto che le commutazioni sono molto lente e per tenere i moduli accesi una volta caricato il gate serve davvero pochissimo. Con 5VA per secondario secondo me ne hai che avanza....