Comunque non so perché il Raban ha definito il trasformatore che stiamo facendo come planare.... in realtà non è planare ma standard, con la differenza che vogliamo usare i lamierini per facilitare la costruzione e cambiare la configurazione.
AlBi con 6mmq considerando 40cm di lunghezza la DCR è di 1.1mohm e quindi a 200A vuol dire circa 45Watt di dissipazione, un po' troppo.
Con 30mmq sarebbero 11,5Watt ca.... una bella differenza!
L'effetto pelle a 50Khz è di ca 0.3mm e infatti il primo (e per ora unico
) trasformatore l'avevo fatto usando cavi di rame smaltato da 0.7mm in modo da distribuire la corrente al meglio.
50Khz non sono un problema, con UCC3895 posso salire fino ad 1Mhz cambiando la rete RC esterna. Volevo evitare di salire troppo per poter utilizzare IGBT al posto dei MosFET. Gli IGBT sono disponibili con tensioni di lavoro più alte e con costi notevolmente più bassi riesci ad avere uno stadio switch a bassissima perdita. I MosFET più sali con la tensione di lavoro e più si alza la RDS-ON e comunque oltre i 600V costano un rene. Usando gli IGBT sali tranquillamente a 1000/1200V mantenendo una VCE-sat di tutto rispetto e con costi notevolmente più bassi.
Questi Ultra field stop della ONSEMI sono spettacolari:
https://www.onsemi.com/pub/Collateral/F ... SQDN-D.PDFCon 4 IGBT fai tutto il full bridge e ci stai dentro alla grande. Hanno una Rjc di 0.19°C/watt quindi, considerando 25A sul primario avremmo 50Watt per switch e 9.5° di differenza di temperatura tra silicio e flangia.... poi essendo full bridge il carico si dimezza quindi ci stiamo dentro alla stragrande.